ZXMP6A13FTA
Symbol Micros:
TZXMP6a13f
Obudowa: SOT23
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 600mOhm; 1,1A; 806mW; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 600mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,1A |
| Maksymalna tracona moc: | 806mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXMP6A13FTA
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
537000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5581 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXMP6A13FTA
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
96000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,5508 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXMP6A13FTA
Obudowa dokładna: SOT23
Magazyn zewnetrzny:
171000 szt.
| ilość szt. | 3000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 0,6272 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 600mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 1,1A |
| Maksymalna tracona moc: | 806mW |
| Obudowa: | SOT23 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |