ZXMP6A13GTA
Symbol Micros:
TZXMP6a13g
Obudowa: SOT223
Tranzystor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 595mOhm; 2,3A; 3,9W; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Rezystancja otwartego kanału: | 595mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 3,9W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXMP6A12GTA RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
25 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,0100 | 1,9100 | 1,5100 | 1,3700 | 1,3100 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXMP6A13GTA
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
46000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,3100 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXMP6A13GTA
Obudowa dokładna: SOT223
Magazyn zewnetrzny:
45000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,3100 |
| Rezystancja otwartego kanału: | 595mOhm |
| Maksymalny prąd drenu: | 2,3A |
| Maksymalna tracona moc: | 3,9W |
| Obudowa: | SOT223 |
| Producent: | DIODES |
| Maksymalne napięcie dren-źródło: | 60V |
| Typ tranzystora: | P-MOSFET |
| Maksymalne napięcie bramka-źródło: | 20V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Montaż: | SMD |