ZXTN2011ZTA
Symbol Micros:
TZXTN2011ZTA Diodes
Obudowa: SOT89
Tranzystor NPN; 300; 2,1W; 100V; 4,5A; 130MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 2,1W |
| Częstotliwość graniczna: | 130MHz |
| Producent: | DIODES |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
| Obudowa: | SOT89 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 4,5A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 100V |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXTN2011ZTA RoHS
Obudowa dokładna: SOT89 t/r
karta katalogowa
Stan magazynowy:
50 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,2400 | 2,0500 | 1,6200 | 1,4800 | 1,4100 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXTN2011ZTA
Obudowa dokładna: SOT89
Magazyn zewnetrzny:
23000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,4100 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXTN2011ZTA
Obudowa dokładna: SOT89
Magazyn zewnetrzny:
3000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,4100 |
| Moc strat: | 2,1W |
| Częstotliwość graniczna: | 130MHz |
| Producent: | DIODES |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
| Obudowa: | SOT89 |
| Maksymalny prąd kolektora: | 4,5A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 100V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | NPN |