ZXTP2012G
Symbol Micros:
TZXTP2012g
Obudowa: SOT223t/r
Tranzystor PNP; 300; 3W; 60V; 5,5A; 120MHz; -55°C ~ 150°C;
Parametry
| Moc strat: | 3W |
| Częstotliwość graniczna: | 120MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
| Producent: | Zetex |
| Obudowa: | SOT223t/r |
| Maksymalny prąd kolektora: | 5,5A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 60V |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXTP2012GTA RoHS
Obudowa dokładna: SOT223t/r
Stan magazynowy:
1000 szt.
| ilość szt. | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| cena netto (PLN) | 3,7000 | 2,3500 | 1,8500 | 1,6900 | 1,6100 |
Producent: DIODES/ZETEX
Symbol producenta: ZXTP2012GTA
Obudowa dokładna: SOT223t/r
Magazyn zewnetrzny:
16000 szt.
| ilość szt. | 1000+ (Potrzebna ilość znacząco większa? Zapytaj o cenę.) |
|---|---|
| cena netto (PLN) | 1,6100 |
| Moc strat: | 3W |
| Częstotliwość graniczna: | 120MHz |
| Współczynnik wzmocnienia prądowego: | 300 |
| Producent: | Zetex |
| Obudowa: | SOT223t/r |
| Maksymalny prąd kolektora: | 5,5A |
| Maksymalne napięcie kolektor-emiter: | 60V |
| Temperatura pracy (zakres): | -55°C ~ 150°C |
| Typ tranzystora: | PNP |