LM258DG ONSEMI
Symbol Micros:
WO258 d ONS
Obudowa: SOP08
Dual Op-Amp, GBW 0.7MHz, SR 0.3V/us, Voff 3mV, +/-1.5÷+/-16V, -25÷85°C LM258DG4 LM258DR2G
Parametry
| Napięcie pracy: | 1,5V ~ 16V |
| Pasmo przenoszenia: | 0,7MHz |
| Szybkość narastania napięcia: | 0,3V/us |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Temperatura pracy (zakres): | -25°C ~ 85°C |
| Typ układu scalonego: | Wzmacniacz operacyjny |
| Napięcie pracy: | 1,5V ~ 16V |
| Pasmo przenoszenia: | 0,7MHz |
| Szybkość narastania napięcia: | 0,3V/us |
| Obudowa: | SOP08 |
| Producent: | ON SEMICONDUCTOR |
| Temperatura pracy (zakres): | -25°C ~ 85°C |
| Typ układu scalonego: | Wzmacniacz operacyjny |
| Liczba kanałów: | 2 |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
LM258DT
Dual Op-Amp, GBW 0.7MHz, SR 0.3V/us, Voff 3mV, +/-1.5÷+/-16V, -25÷85°C LM258DR2G, AP358SG-13, LM258DR, LM258DT LM258D-GURT LM258D-ST
Producent:
ST
Symbol producenta:
LM258DT RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
Stan magazynowy
17077 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2500+ |
| cena netto (PLN) | 1,0800 | 0,5490 | 0,3320 | 0,2630 | 0,2410 |
Sposób pakowania: 2500
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
ST
Symbol producenta:
LM258DT RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08
Stan magazynowy
5121431 szt.
| Ilość szt. | 5000+ |
| cena netto (PLN) | 0,2410 |
Sposób pakowania: 2500
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
ST
Symbol producenta:
LM258DT RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08
Stan magazynowy
832520 szt.
| Ilość szt. | 2500+ |
| cena netto (PLN) | 0,2410 |
Sposób pakowania: 2500
Ilość (wielokrotność 1)
Producent:
ST
Symbol producenta:
LM258DT RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08
Stan magazynowy
615000 szt.
| Ilość szt. | 2500+ |
| cena netto (PLN) | 0,2410 |
Sposób pakowania: 2500
Ilość (wielokrotność 1)
LM258DR TI
Dual Op-Amp, GBW 0.7MHz, SR 0.3V/us, Voff 3mV, +/-1.5÷+/-16V, -25÷85C LM258DRG4 LM258DRE4 LM258DE4 LM258D-TI
Producent:
Texas Instruments
Symbol producenta:
LM258DR RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
Stan magazynowy
180 szt.
| Ilość szt. | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 1,0900 | 0,5810 | 0,4500 | 0,4160 | 0,3980 |
Sposób pakowania: 1000
Ilość (wielokrotność 1)
LM258DR UMW
Dual Op-Amp, Voff 2mV, ±1.5÷±16V, -25÷85°C Zamiennik dla: LM258D-ST, LM258DT, LM258D-TI, LM258DR-TI, LM258DE4, LM258DRE4, LM258DRG4, LM258DG, LM258DR2G, AP358SG-13
Producent:
UMW
Symbol producenta:
LM258DR RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
Stan magazynowy
360 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
| cena netto (PLN) | 1,0200 | 0,5160 | 0,3110 | 0,2460 | 0,2270 |
Sposób pakowania: 500
Ilość (wielokrotność 1)
XL258 XINLUDA
Dual Op-Amp, GBW 0.7MHz, SR 0.3V/us, Voff 3mV, ±1.5÷±16V, -25÷85°C Zamiennik dla: LM258D-ST, LM258DT, LM258D-TI, LM258DR-TI, LM258DE4, LM258DRE4, LM258DRG4, LM258DG, LM258DR2G, AP358SG-13
Producent:
XINLUDA
Symbol producenta:
XL258 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
Stan magazynowy
1660 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2500+ |
| cena netto (PLN) | 0,9410 | 0,4760 | 0,2880 | 0,2280 | 0,2090 |
Sposób pakowania: 2500
Ilość (wielokrotność 1)
LM258 SOP08 HXY MOSFET
Dual Op-Amp; Voff 2mV, ±1.5÷±16V, 0÷70°C Zamiennik dla: LM258D-ST, LM258DT, LM258D-TI, LM258DR-TI, LM258DE4, LM258DRE4, LM258DRG4, LM258DG, LM258DR2G, AP358SG-13
Producent:
HXY MOSFET
Symbol producenta:
LM258 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
Stan magazynowy
900 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 0,8150 | 0,4080 | 0,2430 | 0,2010 | 0,1810 |
Sposób pakowania: 1000
Ilość (wielokrotność 1)
LM258DR JSMICRO
Dual Op-Amp; Voff 2mV, ±1.5÷±16V, -25÷85°C Zamiennik dla: LM258D-ST, LM258DT, LM258D-TI, LM258DR-TI, LM258DE4, LM258DRE4, LM258DRG4, LM258DG, LM258DR2G, AP358SG-13
Producent:
JSMicro Semiconductor
Symbol producenta:
LM258 RoHS
Obudowa dokładna:
SOP08t/r
Stan magazynowy
300 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
| cena netto (PLN) | 0,9860 | 0,4980 | 0,3000 | 0,2370 | 0,2190 |
Sposób pakowania: 500
Ilość (wielokrotność 1)