LMV321IDBVR TI
Symbol Micros:
WO321dbv lmv
Obudowa: SOT23-5
R-R Out Op-Amp, GBW 1MHz, SR 1V/us, Voff 1.7mV, 2.7÷5.5V, -40÷125°C LMV321ILT DIODES, LMV321IDBVT; LMV321IDBVR;
Parametry
| Napięcie pracy: | 2,7V ~ 5,5V |
| Pasmo przenoszenia: | 1MHz |
| Szybkość narastania napięcia: | 1V/us |
| Obudowa: | SOT23-5 |
| Producent: | Texas Instruments |
| Temperatura pracy (zakres): | -40°C ~ 125°C |
| Typ układu scalonego: | Wzmacniacz operacyjny |
| Napięcie pracy: | 2,7V ~ 5,5V |
| Pasmo przenoszenia: | 1MHz |
| Szybkość narastania napięcia: | 1V/us |
| Obudowa: | SOT23-5 |
| Producent: | Texas Instruments |
| Temperatura pracy (zakres): | -40°C ~ 125°C |
| Typ układu scalonego: | Wzmacniacz operacyjny |
| Liczba kanałów: | 1 |
| Montaż: | SMD |
Odpowiedniki
LMV321IDBVR UMW
Low Power R-R I/O Op-Amp, GBW 1MHz, SR 0.52V/us, Voff 0.8mV, 2.1÷5.5V, -25÷85°C Zamiennik dla: LMV321IDBVR, LMV321IDBVRE4, LMV321IDBVRG4, LMV321IDBVT
Producent:
UMW
Symbol producenta:
LMV321IDBVR RoHS
Obudowa dokładna:
SOT23-5/t/r
Stan magazynowy
600 szt.
| Ilość szt. | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
| cena netto (PLN) | 1,1200 | 0,6110 | 0,4010 | 0,3460 | 0,3190 |
Sposób pakowania: 1000
Ilość (wielokrotność 1)