LM358P HXY MOSFET

Symbol Micros: WO358 HXY
Symbol Kontrahenta:
Obudowa: PDIP08
Dual Op-Amp, Voff 2mV, ±2.5÷±12V, 0÷70°C Zamiennik dla: LM358N, LM358P, LM358PE3 LM358PE4, LM358NG, LM358N/NOPB, AS358AP-E1, LM358L-D08-T
Parametry
Napięcie pracy: 2,5V ~ 12V
Obudowa: PDIP08
Producent: HXY MOSFET
Temperatura pracy (zakres): 0°C ~ 70°C
Typ układu scalonego: Wzmacniacz operacyjny
Liczba kanałów: 2
Montaż: THT
Producent: HXY MOSFET Symbol producenta: LM358P RoHS Obudowa dokładna: PDIP08 karta katalogowa
Stan magazynowy:
500 szt.
ilość szt. 5+ 20+ 50+ 200+ 1000+
cena netto (PLN) 1,0500 0,5730 0,4350 0,3390 0,2990
Dodaj do porównywarki
Sposób pakowania:
50/500
Napięcie pracy: 2,5V ~ 12V
Obudowa: PDIP08
Producent: HXY MOSFET
Temperatura pracy (zakres): 0°C ~ 70°C
Typ układu scalonego: Wzmacniacz operacyjny
Liczba kanałów: 2
Montaż: THT