TS912IN
Symbol Micros:
WO912in
Obudowa: PDIP08
Dual R-R I/O Op-Amp, GBW 1.4MHz, SR 1.3V/us, Voff 10mV, +/-1.35÷+/-8V, -40÷125°C *OBSOLETE
Parametry
| Napięcie pracy: | 1,35V ~ 8V |
| Pasmo przenoszenia: | 1,4MHz |
| Szybkość narastania napięcia: | 1,3V/us |
| Obudowa: | PDIP08 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Temperatura pracy (zakres): | -40°C ~ 125°C |
| Typ układu scalonego: | Wzmacniacz operacyjny |
| Napięcie pracy: | 1,35V ~ 8V |
| Pasmo przenoszenia: | 1,4MHz |
| Szybkość narastania napięcia: | 1,3V/us |
| Obudowa: | PDIP08 |
| Producent: | STMicroelectronics |
| Temperatura pracy (zakres): | -40°C ~ 125°C |
| Typ układu scalonego: | Wzmacniacz operacyjny |
| Liczba kanałów: | 2 |
| Montaż: | THT |
Opis szczegółowy
Wybrane właściwości:
- liczba wzmacniaczy: 2;
- zakres napięć wejściowych i wyjściowych: Rail-to-Rail;
- wejściowe napięcie niezrównoważenia: 10 mV max;
- wejściowy prąd polaryzacji: 1 pA typ;
- wejściowy prąd niezrównoważenia: 1 pA typ;
- pobór prądu: 200 µA dla VCC = 3.0 V;
- prąd wyjściowy: 40 mA dla VCC = 3.0 V;
- pole wzmocnienia GBW: 1.4 MHz dla VCC = 10 V;
- szybkość narastania napięcia wyjściowego SR: 1.3 V/ µs dla VCC = 10 V;
- napięciowa gęstość szumów odniesiona do wejścia: 30 nV/√Hz
- napięcie zasilania (symetryczne lub niesymetryczne): 2.7÷16 V;
- temperatura pracy: -40÷125°C;