Infrarot-Elemente (Ergebnisse: 477)

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SFH320FA-3 OSRAM Fototransistor SFH320FA-3; Kollektor-Emitter-Spannung 35 V; 165 mW; Arbeitstemperatur -40 °C +100 °C;
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SFH320FA-3 OSRAM  
 
 
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SFH4253 Sender IR SFH 4253; Wellenlänge: 850 nm 4mW; 70mA; 1,5 V; Arbeitstemperatur -40°C +100°C;
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SFH4253 Rys.SFH4253
 
 
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SFH4258 Emitter IR SFH 4258; Wellenlänge: 850 nm 50 mW; 100mA; 1,5 V; Arbeitstemperatur -40°C +100°C;
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SFH4258 Rys.SFH4258
 
 
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SFH3310
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SFH3310  
 
 
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VEMT2020X01 Phototransistor Chip Silicon 860nm Automotive 2-Pin SMD
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VEMT2020X01 SMD-2
 
 
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SFH5711-2/3 OSRAM Sender IR SFH 5711-2/3-Z; Wellenlänge: 555 nm; 6V; Arbeitstemperatur -40°C +100°C;
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SFH5711-2/3 OSRAM  
 
 
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OIN LTE4206 IR-Emitterdiode rund 3mm; transparent; Wellenlänge: 940 nm 90 mW; IF=60mA; VF=1,2V; Temperaturen: Arbeit -40°C +85°C, Lagerung -55°C +100°C
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OIN LTE4206 Rys.LTE4206
  90mW 20° Lite-On 940nm 60mA 3mm -40°C ~ 85°C THT
 
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OIN LTE3271 IR-Emitterdiode rund 5mm; schwarz diffus; Wellenlänge: 940 nm 120 mW; IF=100mA; VF=1,4V; Temperaturen: Arbeit -40°C +85°C, Lagerung -55°C +100°C
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OIN LTE3271 Rys.LTE3271
  120mW 50° LITEON 940nm 100mA 5mm -40°C ~ 85°C THT
 
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OIN LTE4208 IR-Emitterdiode rund 5mm; transparent; Wellenlänge: 940 nm 100 mW; IF=50mA; VF=1,2V; Temperaturen: Arbeit -40°C +85°C, Lagerung -55°C +100°C
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OIN LTE4208 Rys.LTE4208
  100mW 20° Lite-On 940nm 50mA -40°C ~ 85°C THT
 
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OIN LTE4238 IR-Emitterdiode rund 5mm; schwarz diffus; Wellenlänge: 880 nm 150 mW; IF=100mA; VF=1,3V; Temperaturen: Arbeit -40°C +85°C, Lagerung -55°C +100°C
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OIN LTE4238 Rys.LTE4238
  150mW 20° LITEON 800nm 100mA 5mm -40°C ~ 85°C THT
 
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OIN Tsus5402 IR-Emitterdiode rund 5mm; transparentes Blaugrau; Wellenlänge: 950 nm 210 mW; IF=150mA; VF=2,2V; Arbeitstemperatur -55°C +100°C;
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OIN Tsus5402 Rys.TSUS
 
 
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OIN Tsha5500 IR-Emitterdiode rund 5mm; Wasser klar; Wellenlänge: 875 nm 210 mW; IF=100mA; VF=1,5V; Arbeitstemperatur -55°C +100°C;
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OIN Tsha5500 LED í 5
 
 
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HIR7373C IR-emittierende Diode; Wellenlänge: 850 nm Strahlungsintensität: 7,8 mW/sr; IF=100mA; VF=1,45V
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HIR7373C LED í 5
 
 
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OIN LTE306 IR-Emissionsdiode Seitenansicht 3x3x4mm; transparent; Wellenlänge: 940 nm 75 mW; IF=50mA; VF=1,2V; Temperaturen: Arbeit -40°C +85°C, Lagerung -55°C +100°C
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OIN LTE306 Rys.LTE306
  75mW 30° LITEON 940nm 50mA 3x3x4mm -40°C ~ 85°C THT (abgewinkelt)
 
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KP2012F3C 0805 SMD IR-Emissionsdiode; Wellenlänge: 940 nm Strahlungsintensität: 3,0 mW/sr; IF=20mA; VF=1,2V
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KP2012F3C Rys.KP2012F3C
  80mW 120° KingBright 940nm 50mA 2x1,25x1mm -40°C ~ 85°C SMD
 
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QSE113 No Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin Side Looker QSE113E3R0
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QSE113  
 
 
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VSMB3940X01 PLCC2 SMD IR-Emissionsdiode; Wellenlänge: 940 nm Strahlungsintensität: 13mW/sr; IF=100mA; VF=1,35V
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VSMB3940X01 Rys.HIRCL-190G-4
 
 
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OIN Tsha5202 IR-Emitterdiode rund 5mm; transparent; dichter Bach; 210 mW; 200mA; 5V; Arbeitstemperatur -55°C +100°C;
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OIN Tsha5202 LED í 5
 
 
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SFH3716 Fototransistoren Lichtsensor ChipLED; 5,5V; 20mA; 3nA; 570 nm; 120°; -40°C - 100°C; SMD/SMT 0805-Gehäuse (2012 metrisch); SFH 3716;
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SFH3716 Rys.SFH3716
 
 
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APA3010P3C Kingbright APA3010P3C Fototransistor; 3x2x1mm; Kollektor-Emitter-Spannung: 30V Betrachtungswinkel: 120°; Leistung: 100 mW; Betriebstemperatur: -40 °C ~ 85 °C
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APA3010P3C Kingbright Rys.OIO APA3010P3C
  SMD KingBright -40°C ~ 85°C 0,1W Transparent
 
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TLX9188 TOSHIBA APA3010P3C Fototransistor; 4,55 x 3,7 x 2,1 mm; Kollektor-Emitter-Spannung: 200V Leistung: 150 mW; Betriebstemperaturen: -40°C~125°C
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TLX9188 TOSHIBA Rys.OIO TLX9188
  SMD Toshiba -40°C ~ 125°C 150mW Schwarz
 
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LY A67F-U2AB-36 IR-emittierende Diode; Gelb; Wellenlänge: 590 nm IF=30mA; VF=2,05V; Temperaturen: Arbeit -40°C +100°C
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LY A67F-U2AB-36  
 
 
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SFH4050 OSRAM Sendediode SFH 4050; Wellenlänge 860nm 180 mW; 100mA; 5V; Arbeitstemperatur -40°C +100°C;
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SFH4050 OSRAM Rys.SFH4050
 
 
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LL-304IRC4B-2AD IR-Emissionsdiode THT 3mm; Wasser klar; Wellenlänge: 940 nm 100 mW; WENN= 60mA; VF= 1,2V; Temperaturen: Arbeit -40°C +85°C, Lagerung -40°C +100°C
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LL-304IRC4B-2AD Rys.OIN 304
  LUCKYLIGHT 940nm 20mA 3mm -40°C ~ 85°C
 
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OSIXCAS1C1A IR-emittierende DiodeSMD PLCC2; Wasser klar; Wellenlänge: 880 nm 200 mW; 100mA; 1,6V; Arbeitstemperatur -40°C +100°C;
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OSIXCAS1C1A Rys.OIN OSIXCAS1C1A
  OPTOSUPPLY 880nm 100mA SMD PLCC2 -30°C ~ 85°C
 
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OSIXCA56A1A IR-Emissionsdiode rund 4,8 mm; Wasser klar; Wellenlänge: 880 nm 200 mW; 100mA; 1,6V; Arbeitstemperatur -40°C +100°C;
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OSIXCA56A1A Rys.OIN OSIXCA56A1A
  OPTOSUPPLY 880nm 100mA 4,8mm -30°C ~ 85°C
 
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IRM-3636T IR-Steuerungsempfängermodul, 36 kHz, 14 m, 3-polig
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IRM-3636T Rys. IRM-3636T
  35° EVERLIGHT 940nm 0,7mA -20°C ~ 80°C THT
 
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FYL-5024IRCC1A-10 IR-Emitterdiode THT 5mm; Wasser klar; Wellenlänge: 850 nm 40 mW; WENN= 50mA; VF = 1,5 V; Temp. Arbeiten -40°C +85°C
Micros Symbol: OIN FYL-5024IRCC1A-10 Infos
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FYL-5024IRCC1A-10 Rys.OIN FYL-5024IRCC1A-10
  40mW 10° FORYARD 45nm 50mA 5mm -40°C ~ 85°C THT
 
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KP-1608F3C Kingbright IR-Emissionsdiode SMD; Wellenlänge: 940 nm; Betrachtungswinkel: 120° Leistung: 100 mW; IF=50mA; VF= 1,2-1,6V; Arbeitstemperatur: -40°C-85°C
Micros Symbol: OIN.KP-1608F3C Infos
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KP-1608F3C Kingbright Rys.OIN.KP-1608F3C
  100mW 120° KingBright 940nm 50mA -40°C ~ 85°C SMD
 
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KP-1608SF4C Kingbright IR-Emissionsdiode SMD; Wellenlänge: 880 nm; Betrachtungswinkel: 150° Leistung: 80 mW; IF=50mA; VF= 1,3-1,6V; Arbeitstemperatur: -40°C-85°C
Micros Symbol: OIN.KP-1608SF4C Infos
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KP-1608SF4C Kingbright Rys.OIN.KP-1608SF4C
  80mW 150° KingBright 880nm 50mA -40°C ~ 85°C SMD
 
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