Infrarot-Elemente (Ergebnisse: 252)
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PT17-21B/L41/TR8
Phototransistor; 940nm; 75mW; 30V; Vce 400mV; -25°C~85°C; Dimensions: 2x1,2x1mm; Czoło: płaskie 0805 (2012 Metric)
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PT19-21B/L41/TR8
Phototransistor; 940nm; 75mV; 20mA; 30V; 400mV; -25°C~85°C; 0603 (1608 Metric);
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STHS34PF80TR
PIR-Sensor Digital 6m 1-CH
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PT19-21C/L41/TR8
Phototransistor; 940nm; 75mW; 30V; 20mA; 400mV; -25°C~85°C;
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HFBR-1506AMZ BROADCOM
16 MBd optischer Sender für SERCOS-Anwendungen 1x4
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PT17-21C/L41/TR8
Phototransistors; 940nm; 75mW; 30V; 20mA; 400mV; -25°C~85°C; Dimensions: 2x1,25x1mm;
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HFBR-1537Z BROADCOM
125 MBd optischer Sender für industrielle Anwendungen, vertikales Paket 1x4
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HFBR-1521Z AVAGO
Glasfaserübertragung. Modul -14,3dBm 5Mb/ Toslink-Komponente: Simplex-Sender
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PT12-21C/TR8
Fototransistorabmessungen: 3x1x2mm; 940 nm; Kollektor-Emitter 30V; Emitter-Kollektor 5V; 75 mW; Arbeitstemperatur: -25°C~85°C; transparent;
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TFDU4101-TR3 Ersatz von TFDU4100-TR3
IRDA-Universalmodul; 6V; 250 mW; tr: 20 ~ 100 ns; tf: 20 ~ 100 ns; Wellenlänge 890nm; Arbeitstemperatur -30°C +85°C; 115,2 kbit/s; kurze Stifte
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IS471FE SCHARF
IR-Empfänger 110 ° 4,5 V ...16 VDC 940 nm Schwarzer Detektor, OPIC, 940 nm, 4,5-16 V, sichere Erkennung
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PT15-21B
Fototransistorabmessungen: 3,2x1,5x1,1mm; 940 nm; Kollektor-Emitter 30V; Emitter-Kollektor 5V; 75 mW; Arbeitstemperatur: -25°C~85°C; Schwarz; Ersatz: PT15-21B/TR8;
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PT204-6B
Fototransistor PT204-6C; 940 nm; Kollektor-Emitter 30V; Emitter-Kollektor 5V; 75 mW; Betriebstemperatur -40°C~85°C; Schwarz; ELPT204-6B (ähnlich LTR-4206E);
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304PDC2E-1A
Fotodiode 3 mm; Vr=32V; 150 mW; Id=5nA; IL=35uA Wellenlänge 850 nm; Betrachtungswinkel 80°
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304PDD2E-1A
Fotodiode 3 mm; Vr=32V; 150 mW; Id=5nA; IL=35uA Wellenlänge 850 nm; Betrachtungswinkel 80°
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IRA-S210ST01 MURATA
PIR-Sensor 1-CH 4-Pin Gehäuse 5036 Box IRA-S210ST01: 2 bis 15 V -40° bis 70°C Radialer Durchgangsloch-Bewegungssensor
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503PDD2E-1A
Fotodiode 503PDD2E-1A 5mm; Vr=32V; 150 mW; Id=5nA; IL=35uA Wellenlänge 850 nm
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TSOP36136TR Vishay
IR-Empfänger; Frequenz: 36 kHz;
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ALS-PD70-01C/TR7 Everlight
Fotodiode 630 nm; Spannung 35 V; Id=2nA; Arbeitstemperatur -40 °C +85 °C;
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ALS-PDIC15-21C/L230/TR8 Everlight
Fotodiode 590 nm; Spannung 2,5-5,5 V; Arbeitstemperatur -40 °C +85 °C;
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TSOP31138 Vishay
IR-Empfänger; Frequenz: 38 kHz; Leistung: 10 mW Stromversorgung: 2,5 ~ 5,5 V
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TSOP32138 Vishay
IR-Empfänger; Frequenz: 38 kHz; Leistung: 10 mW Stromversorgung: 2,5~ 5,5 V
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TSOP34138
IR-Empfänger; Frequenz: 36 kHz; Leistung: 10 mW Stromversorgung: -0,3 ~ 6,0 V
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TSOP32156
Infrarot-Empfängermodule 2,7-5,5 V, 56 kHz
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Anzahl der Stücke: 90
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BP104S-Z / BP 104 S-Z
Fotodiode BP104S-Z; 4,5×4×1,2mm; Vr=20V; Id=2nA; IL=55uA; 150 mW; Arbeitstemperatur -40 ÷ 100 °C; Wellenlänge 850 nm; Betrachtungswinkel 60°
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HFBR-2526Z
125 MBD VIELSEITIGER LINK-EMPFÄNGER, 650 nm, 0,8 V-2,6 V, 15 mA
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TSOP31236 (TSOP1736)
IR-Empfänger; Frequenz: 36 kHz; Leistung: 50 mW Stromversorgung: -0,3 ~ 6,0 V; Äquivalent: TSOP1736
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BPW24R
Fotodiode BPW24R; TO18; Spannung 60 V; Id=10nA; IL=60uA 210 mW; Arbeitstemperatur -55 °C +125 °C; Wellenlänge 900 nm; hermetisch;
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