Fototransistoren (Ergebnisse: 114)

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VEMT2500X01 Fototransistor-Chip-Silizium; 860 nm; 20V; 50mA; 30°; 100 mW; -40 °C bis 100 °C; 2-Pin-SMD für den Automobilbereich;
VEMT2500X01 || VEMT2500X01 SMD-2
Hersteller:
Vishay
Hersteller-Teilenummer:
VEMT2500X01
Präzisionsgehäuse:
SMD-2
 
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VEMT4700-GS08 Phototransistor IR Chip Silicon 850nm 2-Pin PLCC
VEMT4700-GS08 || VEMT4700-GS08 SMD-2
Hersteller:
-
Hersteller-Teilenummer:
VEMT4700-GS08
Präzisionsgehäuse:
SMD-2
 
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1500
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QSB363ZR No Phototransistor IR Chip Silicon 940nm 2-Pin T-3/4
QSB363ZR || QSB363ZR  
Hersteller:
Fairchild
Hersteller-Teilenummer:
QSB363ZR
Präzisionsgehäuse:
 
 
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53000 Stk.
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1000
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SFH 3710 || Rys.SFH3710
Hersteller:
AMSOSRAM
Hersteller-Teilenummer:
SFH 3710
Präzisionsgehäuse:
Rys.SFH3710
 
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QSB363GR No Phototransistor IR Chip Silicon 940nm 2-Pin T-3/4
QSB363GR || QSB363GR  
Hersteller:
ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer:
QSB363GR
Präzisionsgehäuse:
 
 
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3000 Stk.
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1000
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Hersteller:
Fairchild
Hersteller-Teilenummer:
QSB363GR
Präzisionsgehäuse:
 
 
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4000 Stk.
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SFH320 OSRAM Opto Fototranzystor SFH320; napięcie kolektor-emiter 35V; 165mW; temperatura pracy -40°C +100°C; w obudowie P-LCC-2;
SFH320 || SFH320 OSRAM Opto PLCC2
Hersteller:
AMSOSRAM
Hersteller-Teilenummer:
SFH320
Präzisionsgehäuse:
PLCC2
 
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25
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SFH320-3/4 OSRAM Fototranzystor SFH320-3/4; napięcie kolektor-emiter 35V; 165mW; temperatura pracy -55°C +100°C; w obudowie P-LCC-2; SFH 320-3/4-Z
SFH 320-3/4 || SFH320-3/4 OSRAM PLCC2
Hersteller:
AMSOSRAM
Hersteller-Teilenummer:
SFH 320-3/4
Präzisionsgehäuse:
PLCC2
 
Externes Lager:
50000 Stk.
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2000
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OSRB38C9BA OPTOSUPPLY Integrierter IR-Empfänger; Abmessungen 6,6x5,3x4,3mm; 2,7V~5,5V; 940 nm; 37,9 kHz; 90°; -10°C~60°C;
OSRB38C9BA OPTOSUPPLY Rys.TSSP4P38
  TSSP4P38 Schwarz OPTOSUPPLY 0,1W -10°C ~ 60°C
 
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LTR-309 LITEON Abmessungen des Fototransistors: 4 x 2,25 x 4,12 mm; 940 nm; Kollektor-Emitter 30V; Emitter-Kollektor 5V; 100 mW; Arbeitstemperatur: -40 °C bis 85 °C; Lagertemperatur: -55 °C bis 100 °C;
LTR-309 LITEON Rys.OIO LTR-309
  THT Transparent LITEON 0,1W -40°C ~ 85°C
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
         
OTBPV11 Fototransistor BPV11; 5mm; Kollektor-Emitter-Spannung 70 V, Emitter-Kollektor 5 V; 150 mW; Arbeitstemperatur -55 °C +100 °C;
OTBPV11 Rys.BPV11
 
 
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PT204-6C Everlight Fototransistor PT204-6C; Φ3mm; 940 nm; Kollektor-Emitter 30V; Emitter-Kollektor 5V; 75 mW; Betriebstemperatur -25°C~85°C; transparent; (=>LTR-4206);
PT204-6C Everlight Rys.OIO PT204-6C
  T-1 Transparent EVERLIGHT 75mW -25°C ~ 85°C
 
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QSD2030F Fotodiode 880 nm schwarz 5 mm
QSD2030F OIO QSD2030F
 
 
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S150PTC-1A Fototransistor 1206 Volt Kollektor-Emitter 30 V, Emitter-Kollektor 5 V 75 mW; Arbeitstemperatur -40 °C +80 °C, Lagerung -40 °C +85 °C
S150PTC-1A Rys.OIO S150
  1206 Transparent LUCKYLIGHT 75mW -40°C ~ 80°C
 
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SFH309 Fototransistor SFH309-4; 3mm; 860 nm; Kollektor-Emitter-Spannung 35 V; 165 mW; 24°; Arbeitstemperatur -40 °C +100 °C; transparent; Ersatz
SFH309 Rys.SFH309
 
 
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SFH320FA-3 OSRAM Fototransistor SFH320FA-3; Kollektor-Emitter-Spannung 35 V; 165 mW; Arbeitstemperatur -40 °C +100 °C;
SFH320FA-3 OSRAM  
 
 
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SFH325FA-Z Fototranzystor SFH325FA-Z; 980 nm; Kollektor-Emitter-Spannung 35 V; Emitter-Kollektor 5V; 165 mW; Betriebstemperatur: -40 °C bis 100 °C; schwarz mit IR-Filter;
SFH325FA-Z Rys.SFH325
  PLCC2 Schwarz OSRAM 165mW -40°C ~ 100°C
 
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SFH3310  
 
 
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VEMT2020X01 Phototransistor Chip Silicon 860nm Automotive 2-Pin SMD
VEMT2020X01 SMD-2
 
 
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VEMT3700-GS08 VISHAY Fototransistor-IR-Chip-Silizium-850-nm-2-Pin-PLCC
VEMT3700-GS08 VISHAY SMD-2
 
 
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QSE113 No Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin Side Looker QSE113E3R0
QSE113  
 
 
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SFH3716 Fototransistoren Lichtsensor ChipLED; 5,5V; 20mA; 3nA; 570 nm; 120°; -40°C - 100°C; SMD/SMT 0805-Gehäuse (2012 metrisch); SFH 3716;
SFH3716 Rys.SFH3716
 
 
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APA3010P3C Kingbright APA3010P3C Fototransistor; 3x2x1mm; Kollektor-Emitter-Spannung: 30V Betrachtungswinkel: 120°; Leistung: 100 mW; Betriebstemperatur: -40 °C ~ 85 °C
APA3010P3C Kingbright Rys.OIO APA3010P3C
  SMD Transparent KingBright 0,1W -40°C ~ 85°C
 
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TLX9188 TOSHIBA APA3010P3C Fototransistor; 4,55 x 3,7 x 2,1 mm; Kollektor-Emitter-Spannung: 200V Leistung: 150 mW; Betriebstemperaturen: -40°C~125°C
TLX9188 TOSHIBA Rys.OIO TLX9188
  SMD Schwarz Toshiba 150mW -40°C ~ 125°C
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
         
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Fototransistoren für alle Anwendungen

Optoelektronische Geräte wie Fototransistoren sind Halbleiter, deren Anwendung in der heutigen Elektronik sehr vielseitig ist. Dank ihrer Reaktion auf Lichtintensität können diese Infrarot-Elemente verschiedene Funktionen erfüllen, oft unverzichtbar. In unserem Sortiment finden Sie alle Fototransistoren, die Sie benötigen. Wir laden Sie ein, unser Angebot zu durchstöbern.

Fototransistoren, oder Halbleiter

Fototransistoren sind dreilagige Halbleiter, die sich zusammensetzen aus:

  • Emitter,
  • Basis,
  • Kollektor.

Im Fototransistor ist der Emitter sowohl mit der Basis als auch mit dem Kollektor verbunden. In jedem dieser Verbindungen wird Strom erzeugt. Der Strom zwischen Emitter und Basis steuert den Strom zwischen Emitter und Kollektor. Das Phänomen, das zwischen Emitter und Basis auftritt, steuert den Strom zwischen Emitter und Kollektor. Dies geschieht jedoch nicht durch Stromerzeugung, sondern durch Lichtintensität. Mit anderen Worten, die Stromleitung in der Verbindung Emitter-Kollektor hängt von der Lichtintensität ab, die auf die Verbindung Emitter-Basis fällt.

Was ist also ein Fototransistor?

Auf Grundlage der oben genannten Fakten kann man sagen, dass ein Fototransistor ein dreilagiger Halbleiter ist, der auf Lichtintensität reagiert.

Fototransistoren werden als Infrarot-Elemente bezeichnet, weshalb oft der Begriff Fototransistor IR auftaucht. Es ist nützlich, diesen Namen näher zu erklären. Fototransistoren sind Halbleiter und fungieren somit als eine Art Schalter. Ein Fototransistor funktioniert als Schalter oder Leiter nur in Reaktion auf Infrarotlicht. Andernfalls bleibt er inaktiv. Es sollte betont werden, dass Infrarot-Elemente nicht binär sind. Sie reagieren also nicht nur auf die Anwesenheit oder Abwesenheit von Licht, sondern vielmehr auf dessen Intensität.

Infrarot-Elemente und ihre Anwendungen

Während klassische Transistoren hauptsächlich zur Verstärkung von Strom oder als Schalter verwendet werden, sind die Anwendungen von Fototransistoren vielfältig. Diese äußerst funktionalen Geräte unterscheiden sich auch erheblich voneinander. Das bedeutet, dass der Fototransistor je nach geplanter Anwendung ausgewählt werden muss. Wir bieten Fototransistoren an, die in folgenden Bereichen Anwendung finden:

  • in Messsystemen,
  • in Infrarot-Detektoren,
  • als Schalter in elektronischen Schaltungen,
  • und vieles mehr.

Das Feld der Optoelektronik beschäftigt sich mit zahlreichen und vielfältigen Themen. Daher ist es nicht überraschend, dass Fototransistoren viele Anwendungen finden, sei es als Detektoren, Isolatoren oder einfach als Schalter. Bei Fragen zur Auswahl der richtigen Fototransistoren stehen Ihnen unsere Berater gerne zur Verfügung.

Fototransistor Preis

Fototransistoren zeichnen sich durch eine einfache Konstruktion aus und sind daher relativ günstig. Dennoch hängen die Kosten von verschiedenen Faktoren ab, wie:

  • Verarbeitungsqualität,
  • Gehäusetyp,
  • Herstellerrenommee,
  • Händlermarge.

Unser Angebot umfasst Fototransistoren nur von den besten, geprüften Herstellern. Wir setzen auf höchste Qualität, um die Bedürfnisse selbst der anspruchsvollsten Kunden zu erfüllen. Dank langjähriger Zusammenarbeit mit unseren Lieferanten können wir günstige Preise aushandeln, was uns ermöglicht, die Marge zu senken. Daher sind die Preise für Fototransistoren bei Micros wettbewerbsfähig. Wir laden Sie ein, unser Sortiment an Fototransistoren für jedes Budget zu erkunden.