BML6402 BORN

Symbol Micros: TIRLML6402 BORN
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 135 mOhm; 3,7A; 1,1 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML6402TRPBF; IRLML6402GTRPBF; SP001552740; SP001578888;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 135mOhm
Max. Drainstrom: 3,7A
Maximaler Leistungsverlust: 1,1W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: BORN
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: BORN Hersteller-Teilenummer: BML6402 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2740 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2252 0,1142 0,0691 0,0548 0,0500
Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 135mOhm
Max. Drainstrom: 3,7A
Maximaler Leistungsverlust: 1,1W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: BORN
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD