IRLML6402 MLCCBASE

Symbol Micros: TIRLML6402 MLC
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 135 mOhm; 3,7A; 1,3 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML6402TRPBF; IRLML6402GTRPBF; SP001552740; SP001578888;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 135mOhm
Max. Drainstrom: 3,7A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: MLCCBASE
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: MLCCBASE Hersteller-Teilenummer: IRLML6402 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,1952 0,0977 0,0582 0,0481 0,0434
Standard-Verpackung:
1000
Widerstand im offenen Kanal: 135mOhm
Max. Drainstrom: 3,7A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: MLCCBASE
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD