IRLML6402
Symbol Micros:
TIRLML6402
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 135 mOhm; 3,7A; 1,3 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML6402TRPBF; IRLML6402PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 135mOhm |
Max. Drainstrom: | 3,7A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,3W |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | INFINEON |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRLML6402TRPBF RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Auf Lager:
5643 stk.
Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3998 | 0,2200 | 0,1730 | 0,1602 | 0,1536 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRLML6402TRPBF
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
205000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1536 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRLML 6402 PBF
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
4661 stk.
Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,2598 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRLML6402TRPBF
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
370500 stk.
Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1536 |
Widerstand im offenen Kanal: | 135mOhm |
Max. Drainstrom: | 3,7A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,3W |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | INFINEON |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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