IRLML6402

Symbol Micros: TIRLML6402
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 135 mOhm; 3,7A; 1,3 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML6402TRPBF; IRLML6402PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 135mOhm
Max. Drainstrom: 3,7A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML6402TRPBF RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
5723 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4075 0,2243 0,1764 0,1633 0,1566
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML6402TRPBF Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
492918 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1566
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML6402TRPBF Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
205000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1566
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML6402TRPBF Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
379200 stk.
Anzahl Stück 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1566
Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 135mOhm
Max. Drainstrom: 3,7A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD