IRLML6402

Symbol Micros: TIRLML6402
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 135 mOhm; 3,7A; 1,3 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML6402TRPBF; IRLML6402PBF;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 135mOhm
Max. Drainstrom: 3,7A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML6402TR RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
3 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3211 0,1706 0,1322 0,1221 0,1170
Standard-Verpackung:
3000/36000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML6402TRPBF RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
9475 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2953 0,1566 0,1214 0,1120 0,1073
Standard-Verpackung:
3000/90000
Widerstand im offenen Kanal: 135mOhm
Max. Drainstrom: 3,7A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Montage: SMD