IRF1405

Symbol Micros: TIRF1405
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 5,3 mOhm; 169A; 330 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF1405PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5,3mOhm
Max. Drainstrom: 169A
Maximaler Leistungsverlust: 330W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF1405 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
130 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,4595 1,1139 0,9224 0,8080 0,7683
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF1405PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
247050 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,7683
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF1405PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
7220 stk.
Anzahl Stück 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,7683
Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF1405PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
1450 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,7683
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 5,3mOhm
Max. Drainstrom: 169A
Maximaler Leistungsverlust: 330W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT