IRF1405PBF-ML MOSLEADER

Symbol Micros: TIRF1405 MOS
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Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 20V; 4,5mOhm; 130A; 192W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF1405PBF; SP001574466;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,5mOhm
Max. Drainstrom: 130A
Maximaler Leistungsverlust: 192W
Gehäuse: TO220
Hersteller: MOSLEADER
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: MOSLEADER Hersteller-Teilenummer: IRF1405PBF-ML RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
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50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,1254 0,8259 0,6622 0,5686 0,5358
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 4,5mOhm
Max. Drainstrom: 130A
Maximaler Leistungsverlust: 192W
Gehäuse: TO220
Hersteller: MOSLEADER
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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