IRLML0060TR UMW

Symbol Micros: TIRLML0060 UMW
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Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 16V; 116 mOhm; 2,7A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML0060TRPBF; SP001568948;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 116mOhm
Max. Drainstrom: 2,7A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: UMW Hersteller-Teilenummer: IRLML0060TR RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2309 0,1261 0,0828 0,0714 0,0659
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Standard-Verpackung:
1000
Widerstand im offenen Kanal: 116mOhm
Max. Drainstrom: 2,7A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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