IRLML0060TRPBF

Symbol Micros: TIRLML0060
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor N-MOSFET; 60V; 16V; 116mOhm; 2,7A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRLML0060TR; IRLML0060TRPBF; IRLML0060PBF; SP001568948; IRLML0060;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 116mOhm
Max. Drainstrom: 2,7A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML0060TR RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
7880 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2689 0,1428 0,1108 0,1022 0,0980
Standard-Verpackung:
3000/30000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML0060TRPBF RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
105650 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2689 0,1428 0,1108 0,1022 0,0980
Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 116mOhm
Max. Drainstrom: 2,7A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Montage: SMD