IRLML0060TRPBF HXY MOSFET

Symbol Micros: TIRLML0060 HXY
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 115mOhm; 3A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML0060TRPBF; SP001568948;

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437

Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 115mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,7W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: IRLML0060TRPBF RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
300 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2899 0,1601 0,1061 0,0884 0,0830
Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 115mOhm
Max. Drainstrom: 3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,7W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD