IRLML2502

Symbol Micros: TIRLML2502

Gehäuse: SOT23

N-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 80mOhm; 4,2A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML2502TR; IRLML2502PBF; IRLML2502TRPBF; SP001558336; TCJ2302;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	80mOhm
Max. Drainstrom:	4,2A
Maximaler Leistungsverlust:	1,25W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML2502TR RoHS Gehäuse: SOT23t/r

Auf Lager:

574 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,3089	0,1693	0,1109	0,0958	0,0884

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML2502TRPBF RoHS Gehäuse: SOT23t/r

Auf Lager:

16968 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,3089	0,1693	0,1109	0,0958	0,0884

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML2502TRPBF RoHS Gehäuse: SOT23t/r

Auf Lager:

4 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,3089	0,1693	0,1109	0,0958	0,0884

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML2502TRPBF RoHS Gehäuse: SOT23t/r

Auf Lager:

2996 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,3089	0,1693	0,1109	0,0958	0,0884

Widerstand im offenen Kanal:	80mOhm
Max. Drainstrom:	4,2A
Maximaler Leistungsverlust:	1,25W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	12V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2227	0,1058	0,0594	0,0453	0,0405

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2059	0,1044	0,0632	0,0500	0,0457

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2059	0,1044	0,0632	0,0500	0,0457

Anzahl Stück	5+	30+	200+	1000+	5000+
Nettopreis (EUR)	0,2359	0,0943	0,0548	0,0457	0,0429

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,2466	0,1248	0,0752	0,0594	0,0548