IRLML2502 MLCCBASE

Symbol Micros: TIRLML2502 MLC
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Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 80mOhm; 4,2A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML2502TRPBF; SP001558336;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 80mOhm
Max. Drainstrom: 4,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: MLCCBASE
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: MLCCBASE Hersteller-Teilenummer: IRLML2502 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,1886 0,0944 0,0562 0,0465 0,0419
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Standard-Verpackung:
1000
Widerstand im offenen Kanal: 80mOhm
Max. Drainstrom: 4,2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: MLCCBASE
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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