IRLML2502TRPBF HXY MOSFET

Symbol Micros: TIRLML2502 HXY
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Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 40mOhm; 6A; 1,25 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML2502TRPBF; SP001558336;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: IRLML2502TRPBF RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
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500 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2419 0,1224 0,0738 0,0583 0,0538
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Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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