MJD31C JSMICRO

Symbol Micros: TMJD31c JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Transistor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Äquivalent: MJD31CG; MJD31CRLG; MJD31CT4G; MJD31CT4-STM; MJD31CJ; MJD31C-13; MJD31C-TP;

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Parameter
Verlustleistung: 15W
Grenzfrequenz: 3MHz
Stromverstärkungsfaktor: 50
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MJD31C RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
295 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
Nettopreis (EUR) 0,3523 0,2326 0,1667 0,1428 0,1359
Standard-Verpackung:
300
Verlustleistung: 15W
Grenzfrequenz: 3MHz
Stromverstärkungsfaktor: 50
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN