MJD31C JSMICRO

Symbol Micros: TMJD31c JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
NPN-Transistor; 50; 15W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Äquivalent: MJD31CG; MJD31CRLG; MJD31CT4G; MJD31CT4-STM; MJD31CJ; MJD31C-13; MJD31C-TP;
Parameter
Verlustleistung: 15W
Grenzfrequenz: 3MHz
Stromverstärkungsfaktor: 50
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MJD31C RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
260 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
Nettopreis (EUR) 0,3575 0,2360 0,1692 0,1449 0,1378
Standard-Verpackung:
300
Verlustleistung: 15W
Grenzfrequenz: 3MHz
Stromverstärkungsfaktor: 50
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN