MJD31C YZPST

Symbol Micros: TMJD31c YZP
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Transistor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; 3MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor NPN; 50; 15W; 100V; 3A; 3MHz; -55°C ~ 150°C;

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Parameter
Verlustleistung: 15W
Grenzfrequenz: 3MHz
Stromverstärkungsfaktor: 50
Hersteller: YZPST
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Hersteller: YZPST Hersteller-Teilenummer: MJD31C RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) Datenblatt
Auf Lager:
105 stk.
Anzahl Stück 3+ 15+ 75+ 300+ 1500+
Nettopreis (EUR) 0,4122 0,2441 0,1856 0,1669 0,1589
Standard-Verpackung:
75/300
Verlustleistung: 15W
Grenzfrequenz: 3MHz
Stromverstärkungsfaktor: 50
Hersteller: YZPST
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN