MJD31CT4G

Symbol Micros: TMJD31c ONS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
Transistor NPN; 50; 1,56W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN; 50; 1,56W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 1,56W
Grenzfrequenz: 3MHz
Stromverstärkungsfaktor: 50
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: TO252
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MJD31CT4G RoHS Gehäuse: TO252t/r Datenblatt
Auf Lager:
6820 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5350 0,3224 0,2477 0,2245 0,2135
Standard-Verpackung:
2500
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MJD31CT4G Gehäuse: TO252  
Externes Lager:
55000 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2135
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MJD31CT4G Gehäuse: TO252  
Externes Lager:
35000 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2135
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MJD31CT4G Gehäuse: TO252  
Externes Lager:
122500 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2135
Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 1,56W
Grenzfrequenz: 3MHz
Stromverstärkungsfaktor: 50
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: TO252
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN