MJD31CT4G
Symbol Micros:
TMJD31c ONS
Gehäuse: TO252
Transistor NPN; 50; 1,56W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN; 50; 1,56W; 100V; 3A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: | 1,56W |
Grenzfrequenz: | 3MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 50 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Gehäuse: | TO252 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 3A |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 100V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MJD31CT4G RoHS
Gehäuse: TO252t/r
Datenblatt
Auf Lager:
6820 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,5350 | 0,3224 | 0,2477 | 0,2245 | 0,2135 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MJD31CT4G
Gehäuse: TO252
Externes Lager:
55000 stk.
Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2135 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MJD31CT4G
Gehäuse: TO252
Externes Lager:
35000 stk.
Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2135 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MJD31CT4G
Gehäuse: TO252
Externes Lager:
122500 stk.
Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2135 |
Verlustleistung: | 1,56W |
Grenzfrequenz: | 3MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 50 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Gehäuse: | TO252 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 3A |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 100V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | NPN |
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