SI2301 JUXING

Symbol Micros: TSI2301 JUX
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 142mOhm; 2,3A; 400mW; -50°C ~ 150°C; Äquivalent: SI2301BDS-T1-E3; SI2301BDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS-T1-GE3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 142mOhm
Max. Drainstrom: 2,3A
Maximaler Leistungsverlust: 400mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: JUXING
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: JUXING Hersteller-Teilenummer: 2301 0.485MM RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0853 0,0336 0,0196 0,0143 0,0131
Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 142mOhm
Max. Drainstrom: 2,3A
Maximaler Leistungsverlust: 400mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: JUXING
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -50°C ~ 150°C
Montage: SMD