SL2301 SLKOR

Symbol Micros: TSI2301 SLK
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Gehäuse: SOT23
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Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 142mOhm; 2,8A; 0,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI2301BDS-T1-E3; SI2301BDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS-T1-GE3;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 142mOhm
Max. Drainstrom: 2,8A
Maximaler Leistungsverlust: 400mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: SLKOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: SLKOR Hersteller-Teilenummer: SL2301 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1052 0,0482 0,0262 0,0196 0,0175
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 142mOhm
Max. Drainstrom: 2,8A
Maximaler Leistungsverlust: 400mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: SLKOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Montage: SMD

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