SI2301BDS

Symbol Micros: TSI2301bds
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Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 150 mOhm; 2,2A; 700 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI2301BDS-T1-E3; SI2301BDS-T1-GE3;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 150mOhm
Max. Drainstrom: 2,2A
Maximaler Leistungsverlust: 700mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: SI2301BDS-T1-E3 RoHS L1.. Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
25 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 650+
Nettopreis (EUR) 0,3131 0,1998 0,1395 0,1208 0,1143
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Standard-Verpackung:
650
Widerstand im offenen Kanal: 150mOhm
Max. Drainstrom: 2,2A
Maximaler Leistungsverlust: 700mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Montage: SMD

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