SI2301BDS
Symbol Micros:
TSI2301bds
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 150 mOhm; 2,2A; 700 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI2301BDS-T1-E3; SI2301BDS-T1-GE3;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 150mOhm |
Max. Drainstrom: | 2,2A |
Maximaler Leistungsverlust: | 700mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 150mOhm |
Max. Drainstrom: | 2,2A |
Maximaler Leistungsverlust: | 700mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 8V |
Montage: | SMD |
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