SI2301CDS SOT23 VISHAY
Symbol Micros:
TSI2301cds
Gehäuse: SOT23
P-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 142 mOhm; 3.1A; 1,6 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI2301CDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 142mOhm |
Max. Drainstrom: | 3,1A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,6W |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 142mOhm |
Max. Drainstrom: | 3,1A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,6W |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 8V |
Montage: | SMD |
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