SI2301CDS SOT23 VISHAY

Symbol Micros: TSI2301cds
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 142 mOhm; 3.1A; 1,6 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: SI2301CDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 142mOhm
Max. Drainstrom: 3,1A
Maximaler Leistungsverlust: 1,6W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 142mOhm
Max. Drainstrom: 3,1A
Maximaler Leistungsverlust: 1,6W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Montage: SMD

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