AO3400 HXY MOSFET
Symbol Micros:
TAO3400 HXY
Gehäuse: SOT23
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3400 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 55mOhm |
| Max. Drainstrom: | 5,8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,4W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | HXY MOSFET |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 55mOhm |
| Max. Drainstrom: | 5,8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,4W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | HXY MOSFET |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
| Montage: | SMD |
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