AO3422

Symbol Micros: TAO3422 c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 12V; 120 mOhm; 2A; 1,56 W; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 120mOhm
Max. Drainstrom: 2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,56W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: MSK
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: MSKSEMI Hersteller-Teilenummer: AO3422 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2135 0,1167 0,0765 0,0662 0,0610
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Standard-Verpackung:
300
Widerstand im offenen Kanal: 120mOhm
Max. Drainstrom: 2A
Maximaler Leistungsverlust: 1,56W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: MSK
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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