BC857B GALAXY

Symbol Micros: TBC857b GAL
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Gehäuse: SOT23
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Transistor PNP; 475; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor PNP; 475; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;

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Parameter
Verlustleistung: 250mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 475
Hersteller: GALAXY
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: GALAXY Hersteller-Teilenummer: BC857B RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0674 0,0260 0,0127 0,0101 0,0096
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 250mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 475
Hersteller: GALAXY
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

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