BC857B GALAXY

Symbol Micros: TBC857b GAL
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor PNP; 475; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor PNP; 475; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Stromverstärkungsfaktor: 475
Grenzfrequenz: 100MHz
Hersteller: GALAXY
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: GALAXY Hersteller-Teilenummer: BC857B RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0683 0,0263 0,0129 0,0102 0,0098
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 250mW
Stromverstärkungsfaktor: 475
Grenzfrequenz: 100MHz
Hersteller: GALAXY
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP