BC857B GALAXY
Symbol Micros:
TBC857b GAL
Gehäuse: SOT23
PNP-Transistor; 475; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BC857B,215; BC857B,235; BC857BLT1G; BC857BLT3G; BC857BE6327HTSA1; BC857BE6433HTMA1; BC857B RFG; BC857B-7-F; BC857B-TP;
Parameter
| Verlustleistung: | 250mW |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 475 |
| Hersteller: | GALAXY |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
| Verlustleistung: | 250mW |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 475 |
| Hersteller: | GALAXY |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 45V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP |
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