FDN338P JSMICRO

Name: TFDN338p JSM TFDN338p JSM
Brand: JSMicro Semiconductor
SKU: TFDN338pJSM
Price: 0.0292 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TFDN338p JSM

Gehäuse: SOT23

P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 210mOhm; 1,6A; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: FDN338P Onsemi;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	210mOhm
Max. Drainstrom:	1,6A
Maximaler Leistungsverlust:	350mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDN338P RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

740 stk.

Anzahl Stück	5+	30+	150+	740+	3700+
Nettopreis (EUR)	0,1607	0,0640	0,0392	0,0315	0,0292

Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDN338P RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

260 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	260+	1300+
Nettopreis (EUR)	0,1607	0,0757	0,0420	0,0343	0,0292

Widerstand im offenen Kanal:	210mOhm
Max. Drainstrom:	1,6A
Maximaler Leistungsverlust:	350mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	8V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,3526	0,1948	0,1530	0,1417	0,1359

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1992	0,0946	0,0532	0,0404	0,0362