FDN338P JSMICRO

Symbol Micros: TFDN338p JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 210mOhm; 1,6A; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: FDN338P Onsemi;

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437

Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 210mOhm
Max. Drainstrom: 1,6A
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDN338P RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
740 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 150+ 740+ 3700+
Nettopreis (EUR) 0,1613 0,0642 0,0394 0,0316 0,0293
Standard-Verpackung:
740
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDN338P RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
260 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 260+ 1300+
Nettopreis (EUR) 0,1613 0,0760 0,0422 0,0345 0,0293
Standard-Verpackung:
260
Widerstand im offenen Kanal: 210mOhm
Max. Drainstrom: 1,6A
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD