IRF1404

Symbol Micros: TIRF1404

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF1404PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	4mOhm
Max. Drainstrom:	202A
Maximaler Leistungsverlust:	333W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF1404PBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

250 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,5695	1,1964	0,9912	0,8676	0,8256

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF1404PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

550 stk.

Anzahl Stück	10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,9242

Widerstand im offenen Kanal:	4mOhm
Max. Drainstrom:	202A
Maximaler Leistungsverlust:	333W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,2803	0,9772	0,8093	0,7090	0,6740