IRF1404

Symbol Micros: TIRF1404

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 4mOhm; 202A; 333W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF1404PBF;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	4mOhm
Max. Drainstrom:	202A
Maximaler Leistungsverlust:	333W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF1404PBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

400 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,5747	1,2003	0,9944	0,8704	0,8283

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF1404PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

525 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,8283

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF1404PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

640 stk.

Anzahl Stück	10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,9364

Widerstand im offenen Kanal:	4mOhm
Max. Drainstrom:	202A
Maximaler Leistungsverlust:	333W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,1956	0,9125	0,7558	0,6622	0,6294