IRF1405

Symbol Micros: TIRF1405
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 5,3mOhm; 169A; 330W; -55°C ~ 175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5,3mOhm
Max. Drainstrom: 169A
Maximaler Leistungsverlust: 330W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF1405 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
150 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,4676 1,1201 0,9275 0,8125 0,7726
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 5,3mOhm
Max. Drainstrom: 169A
Maximaler Leistungsverlust: 330W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: THT

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