IRF1405
Symbol Micros:
TIRF1405
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 5,3 mOhm; 169A; 330 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF1405PBF;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 5,3mOhm |
Max. Drainstrom: | 169A |
Maximaler Leistungsverlust: | 330W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | International Rectifier |
Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRF1405 RoHS
Gehäuse: TO220
Datenblatt
Auf Lager:
140 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,4624 | 1,1161 | 0,9242 | 0,8096 | 0,7698 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF1405PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
261050 stk.
Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,7698 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF1405PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
910 stk.
Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,8255 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF1405PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
1155 stk.
Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,7698 |
Widerstand im offenen Kanal: | 5,3mOhm |
Max. Drainstrom: | 169A |
Maximaler Leistungsverlust: | 330W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | International Rectifier |
Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | THT |
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