D3205 DONGHAI

Symbol Micros: TIRF3205 DH
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 25V; 7mOhm; 120A; 204W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF3205PBF;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 7mOhm
Max. Drainstrom: 120A
Maximaler Leistungsverlust: 204W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Donghai
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: WXDH Hersteller-Teilenummer: D3205 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
70 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 250+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8473 0,5365 0,4237 0,3822 0,3684
Standard-Verpackung:
50/250
Widerstand im offenen Kanal: 7mOhm
Max. Drainstrom: 120A
Maximaler Leistungsverlust: 204W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Donghai
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT