IRF3710PBF JSMICRO

Name: TIRF3710 JSM TIRF3710 JSM
Brand: JSMicro Semiconductor
SKU: TIRF3710JSM
Price: 0.3952 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF3710 JSM

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 21mOhm; 60A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF3710PBF; SP001551058;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	21mOhm
Max. Drainstrom:	60A
Maximaler Leistungsverlust:	200W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: IRF3710PBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

30 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,9096	0,5752	0,4536	0,4139	0,3952

Widerstand im offenen Kanal:	21mOhm
Max. Drainstrom:	60A
Maximaler Leistungsverlust:	200W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,2183	0,8932	0,7179	0,6150	0,5799

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,2183	0,8932	0,7179	0,6150	0,5799

Anzahl Stück	2+	10+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,8278	0,5191	0,4069	0,3835	0,3601