IRF3710PBF JSMICRO

Symbol Micros: TIRF3710 JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 21mOhm; 60A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF3710PBF; SP001551058;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 21mOhm
Max. Drainstrom: 60A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO220
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: IRF3710PBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,9308 0,5886 0,4642 0,4235 0,4044
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 21mOhm
Max. Drainstrom: 60A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO220
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT