IRF3710PBF JSMICRO

Name: TIRF3710 JSM
Brand: JSMicro Semiconductor
SKU: 50
Price: 1.690000 PLN
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF3710 JSM

Gehäuse: TO220

Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 21mOhm; 60A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710PBF; SP001551058;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	21mOhm
Max. Drainstrom:	60A
Maximaler Leistungsverlust:	200W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: IRF3710PBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

50 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,9089	0,5748	0,4533	0,4136	0,3949

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Standard-Verpackung:
50 Menge (Vielfache: 1)

Widerstand im offenen Kanal:	21mOhm
Max. Drainstrom:	60A
Maximaler Leistungsverlust:	200W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Montage:	THT

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,0258	0,7524	0,6028	0,5187	0,4884

Anzahl Stück	2+	10+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,8552	0,5374	0,4206	0,3972	0,3715