IRF540N JSMICRO

Symbol Micros: TIRF540n JSM
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Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 26mOhm; 40A; 96W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF540PBF; IRF540PBF-BE3; IRF540NPBF; SP001561906;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 26mOhm
Max. Drainstrom: 40A
Maximaler Leistungsverlust: 96W
Gehäuse: TO220
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: IRF540N RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
63 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,7487 0,4703 0,3673 0,3463 0,3252
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 26mOhm
Max. Drainstrom: 40A
Maximaler Leistungsverlust: 96W
Gehäuse: TO220
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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