IRF7341 smd

Symbol Micros: TIRF7341
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 4,7A; 2W; -55°C ~ 150°C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 65mOhm
Max. Drainstrom: 4,7A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF7341TRPBF RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
290 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7935 0,5020 0,3956 0,3609 0,3447
Standard-Verpackung:
1700
Widerstand im offenen Kanal: 65mOhm
Max. Drainstrom: 4,7A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD