IRF7341 JSMICRO

Symbol Micros: TIRF7341 JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOP08
2xN-Channel MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 55mOhm; 6,3A; 2W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF7341PBF; IRF7341TRPBF; SP001554204; SP001577408;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Max. Drainstrom: 6,3A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: IRF7341 RoHS Gehäuse: SOP08t/r Datenblatt
Auf Lager:
75 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,5662 0,3556 0,2948 0,2621 0,2457
Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 55mOhm
Max. Drainstrom: 6,3A
Maximaler Leistungsverlust: 2W
Gehäuse: SOP08
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD