IRF740PBF

Symbol Micros: TIRF740
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 20V; 550mOhm; 10A; 125W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF740PBF; IRF740;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 550mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF740 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
17 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 450+
Nettopreis (EUR) 1,1600 0,7702 0,5941 0,5753 0,5518
Standard-Verpackung:
50/1000
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF740PBF RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 450+
Nettopreis (EUR) 1,1600 0,7702 0,5941 0,5753 0,5518
Standard-Verpackung:
50/450
Widerstand im offenen Kanal: 550mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: THT