IRF740PBF

Symbol Micros: TIRF740

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 400V; 20V; 550 mOhm; 10A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF740PBF; IRF740;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	550mOhm
Max. Drainstrom:	10A
Maximaler Leistungsverlust:	125W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	400V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF740PBF RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

120 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,1910	0,9102	0,7534	0,6598	0,6271

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF740PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

1900 stk.

Anzahl Stück	50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6271

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF740PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

3920 stk.

Anzahl Stück	50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6271

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF740PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

1390 stk.

Anzahl Stück	25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6271

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2025-03-07

Anzahl Stück: 1000

Widerstand im offenen Kanal:	550mOhm
Max. Drainstrom:	10A
Maximaler Leistungsverlust:	125W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	400V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	1+	5+	20+	50+	250+
Nettopreis (EUR)	0,8798	0,5803	0,4797	0,4469	0,4188

Anzahl Stück	2+	10+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,8564	0,5382	0,4212	0,3978	0,3720

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,7487	0,4750	0,3744	0,3416	0,3252