IRF740PBF
Symbol Micros:
TIRF740
Gehäuse: TO220
Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 20V; 550mOhm; 10A; 125W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRF740PBF; IRF740;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 550mOhm |
Max. Drainstrom: | 10A |
Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 400V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRF740 RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
17 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 450+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,1600 | 0,7702 | 0,5941 | 0,5753 | 0,5518 |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRF740PBF RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 450+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,1600 | 0,7702 | 0,5941 | 0,5753 | 0,5518 |
Widerstand im offenen Kanal: | 550mOhm |
Max. Drainstrom: | 10A |
Maximaler Leistungsverlust: | 125W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 400V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Montage: | THT |
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