740 DONGHAI

Symbol Micros: TIRF740 DH
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 550mOhm; 10A; 100W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740PBF; IRF740PBF-BE3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 550mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 100W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Donghai
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: WXDH Hersteller-Teilenummer: 740 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 50+ 250+
Nettopreis (EUR) 0,8829 0,5824 0,4814 0,4485 0,4203
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Standard-Verpackung:
50/250
Widerstand im offenen Kanal: 550mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 100W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Donghai
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: THT

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