740 DONGHAI

Symbol Micros: TIRF740 DH
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 400V; 30V; 550 mOhm; 10A; 100 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF740PBF; IRF740PBF-BE3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 550mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 100W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Donghai
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: WXDH Hersteller-Teilenummer: 740 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 50+ 250+
Nettopreis (EUR) 0,8987 0,5927 0,4900 0,4565 0,4278
Standard-Verpackung:
50/250
Widerstand im offenen Kanal: 550mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 100W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Donghai
Max. Drain-Source Spannung: 400V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT