IRF740 HXY MOSFET

Name: TIRF740 HXY
Brand: HXY MOSFET
SKU: 90
Price: 1.590000 PLN
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF740 HXY

Gehäuse: TO220

Transistor N-Channel MOSFET; 420V; 30V; 500mOhm; 11A; 87W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740PBF; IRF740PBF-BE3;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	500mOhm
Max. Drainstrom:	11A
Maximaler Leistungsverlust:	87W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung:	420V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: IRF740 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

90 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,8594	0,5401	0,4227	0,3992	0,3734

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Standard-Verpackung:
50/100 Menge (Vielfache: 1)

Widerstand im offenen Kanal:	500mOhm
Max. Drainstrom:	11A
Maximaler Leistungsverlust:	87W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung:	420V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Montage:	THT

Anzahl Stück	1+	5+	50+	100+	450+
Nettopreis (EUR)	1,1600	0,7702	0,5941	0,5753	0,5518

Anzahl Stück	1+	5+	50+	100+	450+
Nettopreis (EUR)	1,1600	0,7702	0,5941	0,5753	0,5518

Anzahl Stück	1+	5+	20+	50+	250+
Nettopreis (EUR)	0,8829	0,5824	0,4814	0,4485	0,4203