Hauptseite / Transistoren / Feldeffekttransistoren / IRFR024N JSMICRO

IRFR024N JSMICRO

Symbol Micros: TIRFR024 JSM

Gehäuse: TO252 (DPACK)

Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 45mOhm; 20A; 31W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFR024NPBF; IRFR024NTRLPBF; IRFR024NTRPBF; IRFR024NTRRPBF; SP001578012; SP001560558; SP001552090; SP001554980;

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	45mOhm
Max. Drainstrom:	20A
Maximaler Leistungsverlust:	31W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: IRFR024N RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt

Auf Lager:

170 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	40+	170+	680+
Nettopreis (EUR)	0,4407	0,2649	0,2089	0,1849	0,1758

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	45mOhm
Max. Drainstrom:	20A
Maximaler Leistungsverlust:	31W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,9165	0,5813	0,4571	0,4172	0,3985

Anzahl Stück	3+	20+	100+	400+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,4196	0,2332	0,1840	0,1685	0,1617

Anzahl Stück	3+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4079	0,2672	0,1915	0,1676	0,1571

Anzahl Stück	3+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4196	0,2766	0,1974	0,1725	0,1617

IRFR024N JSMICRO

Symbol bearbeiten

Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol

Symbol hinzufügen