IRFR220 smd
Symbol Micros:
TIRFR220
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 800 mOhm; 4,8A; 42W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFR220PBF; IRFR220TRPBF; IRFR220TRLPBF; IRFR220TRRPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 800mOhm |
Max. Drainstrom: | 4,8A |
Maximaler Leistungsverlust: | 42W |
Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRFR220 RoHS
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Auf Lager:
25 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 75+ | 300+ | 1200+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,5743 | 0,3470 | 0,2584 | 0,2374 | 0,2292 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFR220TRPBF
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
4000 stk.
Anzahl Stück | 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2348 |
Hersteller: -
Hersteller-Teilenummer: IRFR220PBF
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
1650 stk.
Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,2292 |
Hersteller: Vishay
Hersteller-Teilenummer: IRFR220TRPBF
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Externes Lager:
34000 stk.
Anzahl Stück | 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2292 |
Widerstand im offenen Kanal: | 800mOhm |
Max. Drainstrom: | 4,8A |
Maximaler Leistungsverlust: | 42W |
Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
Hersteller: | VISHAY |
Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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