IRFR5505TRPBF JGSEMI

Symbol Micros: TIRFR5505 JGS
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Gehäuse: TO252 (DPACK)
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 75 mOhm; 20A; 25W; -55 °C ~ 125 °C; Äquivalent: IRFR5505PBF; IRFR5505TRLPBF; IRFR5505TRPBF; IRFR5505GTRPBF; SP001557164; SP001552238; SP001573294; SP001578228;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 75mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 25W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: JGSEMI Hersteller-Teilenummer: IRFR5505TRPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
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Nettopreis (EUR) 0,5865 0,3668 0,3061 0,2710 0,2547
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 75mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 25W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 125°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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