IRFR5505TR UMW

Symbol Micros: TIRFR5505 UMW
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 157 mOhm; 9A; 3W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFR5505PBF; IRFR5505TRLPBF; IRFR5505TRPBF; IRFR5505GTRPBF; SP001557164; SP001552238; SP001573294; SP001578228;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 157mOhm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: UMW Hersteller-Teilenummer: IRFR5505 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,5807 0,3641 0,3023 0,2689 0,2523
Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 157mOhm
Max. Drainstrom: 9A
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD