IRFR9024NTRPBF JGSEMI

Symbol Micros: TIRFR9024n JGS
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Gehäuse: TO252 (DPACK)
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Transistor P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 180mOhm; 8A; 15,6W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRFR9024NPBF; IRFR9024NTRLPBF; IRFR9024NTRPBF; IRFR9024NTRRPBF; SP001550224; SP001557198; SP001557190; SP001552248;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 180mOhm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 15,6W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: JGSEMI Hersteller-Teilenummer: IRFR9024NTRPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3593 0,2372 0,1691 0,1477 0,1385
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 180mOhm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 15,6W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 125°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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