IRLML0030TRPBF HXY MOSFET
Symbol Micros:
TIRLML0030tr HXY
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 12V; 55mOhm; 5,8A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C Äquivalent: IRLML0030TRPBF; SP001568604;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 55mOhm |
Max. Drainstrom: | 5,8A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,4W |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | HXY MOSFET |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 55mOhm |
Max. Drainstrom: | 5,8A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,4W |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | HXY MOSFET |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
Montage: | SMD |
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