IRLML0060TRPBF HXY MOSFET
Symbol Micros:
TIRLML0060 HXY
Gehäuse: SOT23
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 115mOhm; 3A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML0060TRPBF; SP001568948;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 115mOhm |
Max. Drainstrom: | 3A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,7W |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | HXY MOSFET |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 115mOhm |
Max. Drainstrom: | 3A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,7W |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | HXY MOSFET |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Montage: | SMD |
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